DRAM，生變！ - asiasworldcity.hk

「香港飛龍」標誌

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公衆號記得加星標??，第一時間看推送不會錯過。在美光高調宣佈停產DDR 4之際，DRAM市場正在發生變化。首先體現得就是DDR 4的快速漲價。據臺媒日前報道，最新DDR4 DRAM現貨價包括8Gb、16Gb等規格單日都暴漲近8%，漲幅令業界瞠目結舌，本季以來報價已翻漲一倍以上。研調機構集邦科技旗下DRAM專業報價網站DRAMeXchange的數據指出，上週五（13日）晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，均價爲3.775美元；DDR4 8Gb（512M×16）3200勁揚7.99%，均價爲3.824美元；DDR4 16Gb（1G×16）3200大漲7.9%，均價爲8.2美元。爲此，有業者直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這麼大。”與此同時，全球DRAM業者也正在發生一些變化，這可能會在未來影響DRAM的格局。美光，後發先至？其實在宣佈DDR 4停產幾個月前，美光發佈了公司10nm第六代（D1c）DRAM原型。美光表示，1γ（1-gamma）DDR5 是公司在 DRAM 製造方面的最新進展，也是其第三代 10 納米級工藝節點。它有望實現高達每秒 9200 兆次傳輸 (MT/s) 的數據傳輸速率，與其 1β 前代產品相比，速度提高了 15%。美光科技聲稱，該技術可將功耗降低 20% 以上，這對於 AI 和數據中心至關重要。1γ DDR5 的增強速度和效率將支持計算能力的擴展，滿足未來 AI 工作負載的需求。美光科技宣佈，計劃於今年第二季度向部分合作伙伴提供 1y LPDDR5X 16Gb 產品樣品。公司的目標是爲 2026 年的旗艦智能手機提供業界領先的性能和高達 15% 的功耗節省。來到HBM方面，美光科技日前也宣佈，公司12 層堆疊 36GB HBM4 樣品已交付給多家主要客戶。該款產品採用 1β DRAM 工藝技術，預計將於 2026 年開始量產，以支持客戶在下一代 AI 平臺上的增長。此前，美光預計其 HBM 市場份額將在 2025 年下半年達到與 DRAM 市場份額相當的水平，約爲 20% 至 25%。美光執行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana在接受Digitimes採訪的時候表示，公司HBM 的市場份額將趕上美光的整體 DRAM 份額，目前正朝着這一目標邁進。公司計劃在適當的時候披露 2026 年的進一步增長目標，並將根據客戶需求投資定製化的 HBM 設計。據介紹，美光公司正在臺灣和日本擴大 DRAM 產能，並準備大規模生產。此外，該公司位於愛達荷州的新製造工廠計劃於 2027 年投入生產。關於HBM後端封裝，美光科技在臺灣和新加坡分別運營。鑑於HBM需要更多潔淨室空間，美光科技將擴大新加坡的後端產能，以滿足未來持續增長的需求。此外，日前的報道指出，英偉達公司已選擇美國芯片製造商美光科技公司作爲其下一代內存解決方案 SOCAMM 的首家供應商。資料顯示，由 Nvidia 設計並基於多箇 LPDDR5X 芯片的 SOCAMM 模塊將出現在 Nvidia 即將推出的 AI 加速器平臺 Rubin 中，該平臺計劃於明年發佈。SOCAMM採用銅線鍵合技術，每個模塊連接 16 個 DRAM芯片——這與HBM的硅通孔形成對比。這種銅基結構可增強散熱性，這對於AI系統的性能和可靠性至關重要。知情人士透露，英偉達委託三大內存製造商——三星電子、SK海力士和美光——開發SOCAMM原型。不過，美光公司是第一家獲得英偉達量產批准的公司，利用其在低功耗DRAM性能方面的優勢超越了規模更大的鄰居。值得一提的是，美光日前還宣佈，將斥資2000 億美元用於擴大對尖端 DRAM 製造和研發的美國投資，這無疑會是影響DRAM未來格局的重要決定之一。三星，艱難前行！過去，三星一直受HBM的問題困擾，產品也遲遲得不到客戶的認證。香港廣發證券11日發佈報告稱，“三星電子6月份第三次HBM3E認證失敗，下次認證預計在9月份”。三星電子近期正在進行英偉達的HBM3E認證，國內外媒體和券商預測HBM3E認證將在今年6月或7月完成。據悉，三星電子也已提前加大HBM3E產量，準備在認證後迅速供貨。不過，據廣發證券報告，6月份的HBM3E認證也被認爲變得困難。近日，歐洲金融證券公司瑞銀集團也發佈報告稱，三星電子HBM3E 12層英偉達認證仍在進行中，預計將於今年第四季度開始供貨。但是，日前的消息透露，三星HBM經過了一道艱難考驗。據韓媒指出，三星電子已向大型 AI 芯片製造商超微半導體公司 (AMD) 交付第五代高帶寬存儲器 (HBM)，這引發了人們對其可能也向全球領先的 AI 芯片製造商英偉達公司供應高性能存儲器的預期。AMD週四表示，其最新的 MI350 系列加速器採用三星電子和美國芯片製造商美光科技公司的 288GB HBM3E 芯片。這是三星電子首次正式確認供應 HBM3E 芯片。根據 AMD MI350 系列的規格，這家韓國芯片巨頭似乎已向 AMD 供應了 12 層 HBM3E，即 HBM3E 12H。大約兩個月前，三星確認將向主要客戶供應改進型 HBM3E 樣品，但未透露客戶名稱。雖然可能沒有達成公司制定的百分百目標，但在五月底，有消息表示，三星電子已制定計劃，繼平澤晶圓廠之後，在其華城晶圓廠建設一條1c DRAM（第六代10nm DRAM）量產線。預計該投資最早將於今年年底完成，此舉被解讀爲三星電子內部對提升良率充滿信心的舉措。1c DRAM也是應用於三星電子“HBM4（第六代高帶寬存儲器）”的關鍵產品。有評估認爲，由於三星電子在最新HBM的商業化方面遇到困難，因此正積極展現量產意願。作爲三星電子計劃最早在今年年底量產的最新一代 DRAM。這款 DRAM 對三星電子至關重要，源於其在 HBM 領域的領先地位。與 SK 海力士和美光等主要競爭對手在 HBM4 上採用 1b DRAM 不同，三星電子決定將1c DRAM應用於HBM4 。此前，三星電子已於今年年初在平澤第四園區（P4）開始建設其首條1c DRAM量產線。當時，投資規模相對較小，僅爲每月3萬片。三星電子一直奉行的戰略是，先爲1c DRAM的初期量產做好準備，然後根據未來產品開發的進展擴大投資。目前三星電子正在商談追加投資，擴大今年下半年P4工廠的1c DRAM產能，規模預計至少達到每月4萬片。此外，1c DRAM的轉換投資預計最早將於今年年底在Mars第17線進行。SK海力士，謹小慎微千年老二SK海力士是這波AI浪潮的最大贏家。憑藉在高帶寬存儲器 (HBM) 芯片市場無與倫比的領先地位，SK 海力士 (SK Hynix Inc.) 超越三星電子，成爲自成立以來首次成爲全球最大存儲器芯片供應商。據市場研究公司 Counterpoint Technology Market Research 此前發佈的數據顯示，截至 2025 年 3 月的第一季度，SK 海力士在全球動態隨機存取存儲器 (DRAM) 芯片市場佔據 36% 的市場份額，位居第一。這是 SK 海力士自 1983 年成立以來首次在全球存儲器市場佔據主導地位。三星電子曾是存儲器領域的霸主，統治市場長達 30 多年，如今卻被擠到第二位，市場份額爲 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 緊隨其後，市場份額爲 25%。但是，在這樣的局面下，SK海力士並沒有盲目激進。而是每一步都顯得謹小慎微。韓媒最新報道，SK海力士在擴大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲器）產能的投資方面採取了謹慎的態度。據悉，該公司正在推遲原定的提前將設備引入新工廠的計劃，並且確定今年整體設備投資規模的時間也被推遲。業內人士進一步指出，SK海力士今年包括清州M15X在內的設施投資計劃預計將比原先的預期有所推遲。M15X是一箇新的生產基地，將負責SK海力士尖端DRAM和HBM的量產。總投資額爲20萬億韓元，於去年第二季度開始建設，預計於今年第四季度竣工。由於人工智能行業的增長預計會增加對尖端 DRAM 和 HBM 的需求，因此 SK Hynix 一直在積極投資 M15X。今年早些時候，包括M15X潔淨室在內的基礎設施投資計劃已從第二季度末提前到第二季度初。因此，預計該工廠的設備導入時間也將在9月或10月左右，比原計劃提前一到兩個月。然而，SK海力士的語氣最近有所轉變。據悉，他們已決定推遲提前投資M15X的計劃，並將該工廠的設備引進時間推遲到10月或11月左右。預計今年進入M15X的最先進DRAM的產能也將從每月1.5萬片降至不足1萬片，因此很可能會建設一條用於試產的一次性生產線。一位半導體業內人士表示：“SK海力士一直在討論提前投資設施，以便在年底前開始量產M15X的DRAM，但據我瞭解，實際的投資審覈和訂單進度都被推遲了。”他還補充道：“公司並非隨意提前投資，而是打算從明年開始全面實施投資。 ”據報道，SK海力士今年的整體設施投資計劃也在不斷推遲。據悉，儘管該公司通過向Nvidia供應尖端HBM保持了穩固的盈利能力，但考慮到各種管理狀況，正在調整投資速度。與此同時，SK海力士還披露了10納米及以下DRAM未來技術路線圖.日前，SK海力士高管表示，目前，利用技術平臺的微細工藝正進入越來越難以提高性能和容量的階段。爲了克服這一問題，SK海力士將準備4F方形VG（垂直柵極）平臺和基於10納米及以下結構、材料和組件創新的3D DRAM技術，以克服技術限制。SK海力士解釋說，6F2單元目前是標準配置，但將4F2單元與晶圓鍵合技術（將電路元件放置在電池區域下方）相結合，可以顯著提高電池效率和電氣特性。業內普遍認爲，該技術的製造成本可能會隨着堆疊數量的增加而增加，但SK海力士計劃克服這一問題，並通過技術創新確保競爭力。該公司還透露，計劃通過推進關鍵材料和DRAM組件的技術進步來確保新的增長引擎，從而爲未來30年DRAM技術的持續發展奠定基礎。DRAM的未來據Techinsights的報告披露，三星和 SK 海力士已將 D1a 和 D1b 單元設計產品商業化，包括 DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X，具有最小的 12nm 級 DRAM 單元設計。兩家公司在採用 EUV 光刻技術方面均處於領先地位，而美光則在其 1α 和 1β 代中繼續使用基於 ArF 和 ArFi 的圖案化技術，並計劃在其 1γ 代中引入 EUV。三星在 D1a 和 D1b 代中將 EUV 光刻擴展到五個或更多掩模。SK 海力士遵循類似的 EUVL 策略，已將其用於 D1a 和 D1b 代，並計劃在未來幾代中增加 EUVL 步驟。高 K 金屬柵極 (HKMG) 技術正日益普及。三星率先將 HKMG 用於D1x GDDR6 芯片的外圍結構，並將其擴展到 D1y DDR5 芯片。美光已在 D1z 圖形 DRAM 中實現了 HKMG，並將從 D1β 代開始將其擴展到所有 DRAM 類型。SK 海力士在 D1y 和 D1a GDDR6 中集成了 HKMG，最近又在 D1b DDR5 器件中集成了 HKMG。報告進一步指出，明年初，各大廠商將推出D1c工藝的量產DRAM，隨後到2026年或2027年，最終的10納米級DRAM器件（D1d或D1δ節點）將問世。到2030年，DRAM技術預計將縮小到個位數納米節點，包括0a、0b、0c或0α、0β和0γ代。三星正在開發VS-CAT和VCT 3D DRAM，而SK海力士和美光則專注於垂直堆疊DRAM。DRAM技術的未來前景光明，有望滿足高性能應用和新興技術日益增長的需求。Yole在一份報告中則指出，儘管微縮挑戰日益嚴峻，平面 DRAM 預計將在 0c/0d 節點（2033-2034 年）繼續演進，並充分利用架構和工藝創新的結合。目前，業界依賴 6F2 DRAM 單元結構，該結構將在 2025 年佔據所有商用產品的主導地位。然而，進一步的微型化最終將需要向基於垂直晶體管 (VT) 的 4F2 單元過渡，並集成在 CMOS 鍵合陣列 (CBA) 架構中。在 0c/0d 節點之後，預計向 3D DRAM 架構的過渡將不可避免。截至 2025 年，所有主要的 DRAM 製造商（包括三星、SK 海力士、美光和長鑫存儲）都在積極探索多種架構路徑，以實現 3D DRAM 集成。與此同時，一份有關HBM的路線圖也被披露。據韓國領先的國家研究機構韓國科學技術研究院(KAIST )透露，HBM 的單棧容量將從 HBM4 的 288 GB 增加到 348 GB，HBM8 的容量則將增加到 5,120 GB 到 6,144 GB。此外，功耗也將隨性能提升而提升，從 HBM4 的單棧 75W 增加到 HBM8 的 180W。預計 2026 年至 2038 年間，內存帶寬將從 2 TB/s 增長到 64 TB/s，數據傳輸速率將從 8 GT/s 提升到 32 GT/s。每個 HBM 封裝的 I/O 寬度也將從目前 HBM3E 的 1,024 位接口增加到 HBM4 的 2,048 位，之後將一路提升到 HBM4 的 16,384 位。“混合鍵合被認爲是未來 HBM 世代的關鍵推動因素，尤其對於高堆疊配置而言。然而，由於良率和吞吐量方面的挑戰，HBM 供應商已將基於微凸塊的工藝擴展至 HBM4 和 HBM4E。目前，混合鍵合預計將於 2029 年左右與 HBM5 一起進入市場，尤其適用於高端 20Hi 堆疊。”Yole在報告中強調。此外，中國的DRAM廠商也在密鑼緊鼓地推進。在現在的國際競爭格局下，這也會成爲影響全球DRAM格局的重要力量。*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4068期內容，歡迎關注。加星標??第一時間看推送，小號防走丟求推薦

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